精品国产亚洲一区二区三区大结局,日韩国产码高清综合,国产精品丝袜综合区另类,久久午夜无码午夜精品

關(guān)注公眾號(hào)

關(guān)注公眾號(hào)

手機(jī)掃碼查看

手機(jī)查看

喜歡作者

打賞方式

微信支付微信支付
支付寶支付支付寶支付
×

6英寸碳化硅單晶襯底研制成功

2014.12.19

  近日,中國(guó)科學(xué)院物理研究所北京凝聚態(tài)物理國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(籌)先進(jìn)材料與結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)人員與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(SiC)單晶襯底。

   據(jù)悉,碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。

128328_201412190922531.jpg

128328_201412190923051.jpg

   上圖 科研人員在測(cè)量6英寸碳化硅單晶襯底的尺寸(12月9日攝)。

   下圖 中國(guó)科學(xué)院物理研究所陳小龍研究員在一幅演示碳化硅物理原理的圖表前展示6英寸碳化硅單晶襯底(12月17日攝)。

推薦
關(guān)閉