術(shù)語(yǔ) | 描述 |
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半導(dǎo)體材料 semiconductive material | 印刷或涂覆材料的成分,其本身具有半導(dǎo)體導(dǎo)電性。 |
半導(dǎo)體油墨 semiconductor ink | 一種液體,其中溶解或分散了一種或多種無(wú)機(jī)顆粒、離子、鹽、有機(jī)小分子或有機(jī)聚合物,通過(guò)去除溶劑或后處理形成半導(dǎo)體層。 |
半導(dǎo)體層 semiconductive layer | 由半導(dǎo)體油墨制成的薄膜狀半導(dǎo)體材料體,通過(guò)印刷或涂覆在基板上,并根據(jù)需要進(jìn)行后處理。 |
固體含量 solid content | 在溶劑中溶解或分散的有效作為半導(dǎo)體材料的成分的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。 |
閃點(diǎn) flash point | 在特定標(biāo)準(zhǔn)化條件下,液體釋放出足夠量蒸氣以形成可燃蒸氣/空氣混合物的最低液體溫度。 |
旋轉(zhuǎn)粘度計(jì) Brookfield型 | 用于測(cè)量半導(dǎo)體油墨的粘度。 |
復(fù)合牢度是復(fù)合膜材料的重要性能指標(biāo),對(duì)其使用性能具有密切影響。影響復(fù)合牢度的因素較多,本文通過(guò)對(duì)塑料復(fù)合膜不同顏色油墨印刷部位剝離強(qiáng)度的測(cè)試,比較分析了不同顏色油墨對(duì)樣品復(fù)合牢度的影響,并通過(guò)對(duì)試驗(yàn)原理、設(shè)備XLW(EC)智能電子拉力試驗(yàn)機(jī)參數(shù)及適用范圍、試驗(yàn)過(guò)程等內(nèi)容的介紹,為企業(yè)監(jiān)測(cè)分析復(fù)合膜...
復(fù)合牢度是復(fù)合膜材料的重要性能指標(biāo),該指標(biāo)值的優(yōu)劣直接影響材料的質(zhì)量。在復(fù)合膜的實(shí)際使用過(guò)程中,薄膜表面不同部位的復(fù)合牢度可能會(huì)存在一定的差異,尤其是印刷部位與非印刷部位。本文利用Labthink蘭光XLW(M)智能電子拉力試驗(yàn)機(jī)分別測(cè)試了復(fù)合膜樣品的印刷部位、非印刷部位的剝離強(qiáng)度,并對(duì)試驗(yàn)的過(guò)程...
GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破,成功地生長(zhǎng)出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜...
英國(guó)《自然·納米技術(shù)》雜志11日在線發(fā)表論文稱,科學(xué)家們利用飛秒技術(shù)首次成功拍攝到半導(dǎo)體材料內(nèi)部電子狀態(tài)變化。該成果將提供對(duì)半導(dǎo)體核心器件前所未有的洞察?! ∽?0世紀(jì)后期以來(lái),半導(dǎo)體器件技術(shù)進(jìn)步集中且明顯,譬如晶體管、二極管以及太陽(yáng)能電池等。這些器件的核心,正是電子在半導(dǎo)體材料中進(jìn)行的內(nèi)部運(yùn)動(dòng)...
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