GB/T 42676-2023
半導(dǎo)體單晶晶體質(zhì)量的測(cè)試 X射線衍射法
X-ray Diffraction Method for Testing the Quality of Semiconductor Single Crystal
GBT42676-2023, GB42676-2023
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 42676-2023
- 別名
- GBT42676-2023, GB42676-2023
- 發(fā)布
- 2023年
- 總頁數(shù)
- 8頁
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 42676-2023
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 14264 GB/T 14666 GB/T 32267
- 本體
- X射線衍射儀
- 適用范圍
- 利用X射線衍射儀測(cè)試半導(dǎo)體材料雙晶搖擺曲線半高寬，評(píng)價(jià)半導(dǎo)體單晶晶體質(zhì)量的方法 適用于碳化硅、金剛石、氧化鎵等單晶材料晶體質(zhì)量的測(cè)試 硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料晶體質(zhì)量的測(cè)試也可參照
GB/T 42676-2023 中提到的儀器設(shè)備
| 雙晶X射線衍射儀 | 用于半導(dǎo)體單晶晶體質(zhì)量測(cè)試，具有Cu靶或其他靶材，配備分析晶體和狹縫系統(tǒng)。 |