T/IAWBS 007-2018
4H 碳化硅同質(zhì)外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法
Test method for thickness of 4H silicon carbide homo-epitaxial layers by infrared reflectance
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- T/IAWBS 007-2018
- 發(fā)布
- 2018年
- 總頁(yè)數(shù)
- 12頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 中國(guó)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
- 當(dāng)前最新
- T/IAWBS 007-2018
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 14264 GB/T 6379.2
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了4H-N型重?fù)诫s碳化硅襯底（N型摻雜濃度>5×1018 cm-3）上同質(zhì)外延層（摻 雜濃度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的紅外反射測(cè)量方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于2-100微米的碳化硅外延層。 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法是 4H 碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。當(dāng)外延層表面反射的光束和襯底界面反射的光束的光程差是半波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)，反射光譜中可以觀察到極大極小值。 根據(jù)反射譜中干涉條紋的極值峰位，試樣的光學(xué)常數(shù)以及入射角可以計(jì)算出相應(yīng)的外延層厚度。 4H 碳化硅外延層的厚度檢測(cè)原理如圖2：入射光由A 處入射，經(jīng)由外延表面AC 反射，同時(shí)經(jīng)過(guò)折射在襯底和外延界面B 處反射，由C 處射出，和D 處的反射光之間的相位差δ即可求得。
| 術(shù)語(yǔ) | 描述 |
|---|---|
| 4H碳化硅 4H Silicon Carbide | 碳化硅的一種常見晶體結(jié)構(gòu)。SiC晶體所屬的晶系結(jié)構(gòu)包括：六角密堆積的纖鋅礦結(jié)構(gòu)、菱形結(jié)構(gòu)和立方密堆積的閃鋅礦結(jié)構(gòu)。 |
| 干涉 Interference | 一種光學(xué)現(xiàn)象。指當(dāng)波長(zhǎng)相同的兩列光的光程差滿足一定條件時(shí)，兩光疊加使得在某些地方的光強(qiáng)始終相互加強(qiáng)，出現(xiàn)干涉極大值，而在某些地方的光始終相互抵消，出現(xiàn)干涉極小值。 |
| 折射率 Refractive Index | 材料對(duì)光的折射能力的度量，用于計(jì)算外延層的厚度。 |
| 光程差 Optical Path Difference | 入射光在不同路徑上所經(jīng)歷的光程的差值，用于計(jì)算干涉條紋的極值。 |
| 反射光譜 Reflectance Spectrum | 由樣品表面反射的光的光譜分布，用于分析外延層的厚度。 |
T/IAWBS 007-2018 中提到的儀器設(shè)備
| 紅外光譜儀 雙光束紅外分光光度計(jì)或傅里葉變換紅外光譜儀 | 用于測(cè)量紅外反射光譜，分析碳化硅外延層的厚度。 |
