GB/T 32282-2015
氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量 陰極熒光顯微鏡法
Measurement of Dislocation Density in Gallium Nitride Single Crystal by Cathodoluminescence Microscopy
GBT32282-2015, GB32282-2015
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 32282-2015
- 別名
- GBT32282-2015, GB32282-2015
- 發(fā)布
- 2016年
- 總頁(yè)數(shù)
- 8頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 國(guó)家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 32282-2015
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 14264 GB/T 1554 GB/T 27788
- 本體
- 位錯(cuò)密度
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用陰極熒光顯微鏡法測(cè)試氮化勻單晶位錯(cuò)密度的方法。
GB/T 32282-2015 中提到的儀器設(shè)備
| 掃描電子顯微鏡和陰極熒光顯微鏡 配置電子槍，加速電壓2 kV至20 kV，推薦使用5 kV | 用于觀察材料表面結(jié)構(gòu)及檢測(cè)位錯(cuò)的設(shè)備 |