硅晶片檢測方法
本專題涉及硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)有53條。
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，硅晶片檢測方法涉及到半導(dǎo)體材料、電氣工程綜合、太陽能工程、金屬材料試驗(yàn)、有色金屬、電學(xué)、磁學(xué)、電和磁的測量、詞匯、絕緣流體。
在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，硅晶片檢測方法涉及到半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、、太陽能、金屬無損檢驗(yàn)方法、化合物半導(dǎo)體材料、電子技術(shù)專用材料、電子元件綜合、電工材料和通用零件綜合、金屬物理性能試驗(yàn)方法、元素半導(dǎo)體材料、數(shù)據(jù)媒體、鋼板、鋼帶、半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法、無線電計(jì)量。
國家質(zhì)檢總局，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 26066-2010 硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
- GB/T 31351-2014 碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法
- GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測試方法
- GB/T 32278-2015 碳化硅單晶片平整度測試方法
- GB/T 13388-2009 硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測試方法
- GB/T 13388-1992 硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量方法
- GB/T 30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法
- GB/T 4059-1983 硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗(yàn)方法
- GB/T 6624-2009 硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法
- GB/T 6624-1995 硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法
- GB/T 4060-1983 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法
- GB/T 4059-2007 硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法
- GB/T 4060-2007 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法
- GB/T 13387-2009 硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法
- GB/T 14142-1993 硅外延層晶體完整性檢查方法
中國團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- T/IAWBS 021-2024 碳化硅晶片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法
- T/IAWBS 010-2019 碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量和微管密度檢測方法-激光散射檢測法
- T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位錯(cuò)密度檢測方法 KOH腐蝕結(jié)合圖像識(shí)別法
- T/ZSA 38-2020 SiC晶片的殘余應(yīng)力檢測方法
- T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的殘余應(yīng)力檢測方法
- T/IAWBS 016-2022 碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖 擺曲線半高寬測試方法
- T/IAWBS 014-2021 碳化硅單晶拋光片位錯(cuò)密度的測試方法
- T/IAWBS 011-2019 導(dǎo)電碳化硅單晶片電阻率測量方法—非接觸渦流法
- T/IAWBS 013-2019 半絕緣碳化硅單晶片電阻率非接觸測量方法
德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會(huì)，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- DIN V VDE V 0126-18-3:2007 太陽能硅片.第3部分:結(jié)晶硅片的堿性腐蝕損壞.單晶硅片和多晶硅片腐蝕速度的測定方法
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- SJ 1550-1979 硅外延片檢測方法
- SJ/T 11504-2015 碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量的測試方法
- SJ/T 11503-2015 碳化硅單晶拋光片表面粗糙度的測試方法
- SJ/T 11501-2015 碳化硅單晶晶型的測試方法
- SJ/T 11500-2015 碳化硅單晶晶向的測試方法
韓國科技標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- KS D 0261-2012(2017) 用鏡面檢查硅晶片
- KS C 0256-2022 四點(diǎn)探針硅晶體及硅片電阻率測試方法
- KS C 0256-2002(2017) 具有四點(diǎn)探針的硅晶體和硅晶片的電阻率測試方法
- KS C 0256-2002 硅單結(jié)晶及硅片的4探針法的抵抗率測定方法
- KS C 0256-2002(2022) 硅晶體和硅片電阻率的四點(diǎn)探針測試方法
- KS D 0260-1999 四點(diǎn)探針法測試單晶硅片電阻率的方法
- KS D 0260-1989(1994) 具有四點(diǎn)探針的單晶硅片的電阻率測試方法
JP-JEITA，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- JEITA EM-3510-2007 硅晶片用邊緣轉(zhuǎn)降測定方法
國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 37051-2018 太陽能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法
- GB/T 4059-2018 硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法
- GB/T 4060-2018 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法
- GB/T 26069-2022 硅單晶退火片
河北省標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- DB13/T 1314-2010 太陽能級(jí)單晶硅方棒、單晶硅片
日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會(huì)，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- JIS H 0612:1975 硅單晶片電阻率的測定方法.四探針法
- JIS H 0602:1995 用四點(diǎn)探針法對(duì)硅晶體和硅片電阻率的測試方法
新疆維吾爾自治區(qū)標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- DB65/T 3486-2013 太陽能級(jí)多晶硅塊紅外探傷檢測方法
美國材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM F951-01 測定硅片徑向晶隙氧變化的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
- ASTM F847-94(1999) 單晶硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-商品檢驗(yàn)，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- SN/T 3112-2012 冷軋硅鋼片晶粒取向性鑒別方法
陜西省標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- DB61/T 512-2011 太陽電池用單晶硅片檢驗(yàn)規(guī)則
工業(yè)和信息化部，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- YS/T 26-2016 硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-有色金屬，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- YS/T 26-1992 硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法
國家計(jì)量檢定規(guī)程，關(guān)于硅晶片檢測方法的標(biāo)準(zhǔn)
- JJG 48-1990 硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片檢定規(guī)程
