晶體 應(yīng)用
本專題涉及晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)有22條。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中,晶體 應(yīng)用涉及到半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體分立器件、太陽(yáng)能工程、電子設(shè)備用機(jī)械構(gòu)件、建筑材料。
在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中,晶體 應(yīng)用涉及到、場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體集成電路。
IET - Institution of Engineering and Technology,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)
中國(guó)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn),關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)
SCC,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)
英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì),關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)
- BS QC 750114:1996 電子元件質(zhì)量評(píng)估協(xié)調(diào)制度 半導(dǎo)體器件 離散設(shè)備 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 用于開關(guān)應(yīng)用的外殼額定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范
- BS EN 62417:2010 半導(dǎo)體器件 金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFETs)用遷移離子試驗(yàn)
- BS IEC 60747-7-5:2005 半導(dǎo)體器件 — 分立器件 第7-5部分:用于電源開關(guān)應(yīng)用的雙極晶體管
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)
- QC 750114-1996 電子元件質(zhì)量評(píng)估協(xié)調(diào)系統(tǒng) 半導(dǎo)體器件 分立器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 用于開關(guān)應(yīng)用的外殼額定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范(IEC 747-8-3:1995)
- QC 750114-1995 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 第 3 節(jié):用于開關(guān)應(yīng)用的外殼額定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范(IEC 747-8-3 ED 1)
- QC 750106-1993 半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管第二部分 外殼額定功率放大器應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范(IEC 747-8-2 ED 1)
- QC 750104-1991 半導(dǎo)體器件分立器件第7部分:雙極晶體管第三部分 用于開關(guān)應(yīng)用的雙極晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范(IEC 747-7-3 ED 1)
韓國(guó)科技標(biāo)準(zhǔn)局,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)
CZ-CSN,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)
TH-TISI,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)
- TIS 1867-1999 半導(dǎo)體器件-分立器件第7部分:雙極晶體管第 4 節(jié):用于開關(guān)應(yīng)用的雙極晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范
國(guó)家質(zhì)檢總局,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)
PL-PKN,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)
YU-JUS,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)