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晶體 應(yīng)用

本專題涉及晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)有22條。

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中,晶體 應(yīng)用涉及到半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體分立器件、太陽(yáng)能工程、電子設(shè)備用機(jī)械構(gòu)件、建筑材料。

在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中,晶體 應(yīng)用涉及到、場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體集成電路。


IET - Institution of Engineering and Technology,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

中國(guó)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn),關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

  • T/CASAS 006-2020 碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范
  • T/CASAS 022-2022 三相智能電表用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范
  • T/CECS 1072-2022 冶金渣發(fā)泡微晶保溫裝飾一體板應(yīng)用技術(shù)規(guī)程
  • T/CES 084-2021 柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊應(yīng)用可靠性試驗(yàn)規(guī)范

SCC,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

  • CAN/CSA-C61215-2008(C2013) 地面應(yīng)用晶體硅光伏(PV)模塊 設(shè)計(jì)資格和批準(zhǔn)
  • CAN/CSA-C61215-2001(C2006) 地面應(yīng)用晶體硅光伏(PV)模塊 設(shè)計(jì)資格和批準(zhǔn)
  • BS 9352:1980 質(zhì)量評(píng)估半導(dǎo)體器件詳細(xì)規(guī)范的制定規(guī)則:微波應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管

英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì),關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

  • BS QC 750114:1996 電子元件質(zhì)量評(píng)估協(xié)調(diào)制度 半導(dǎo)體器件 離散設(shè)備 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 用于開關(guān)應(yīng)用的外殼額定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范
  • BS EN 62417:2010 半導(dǎo)體器件 金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFETs)用遷移離子試驗(yàn)
  • BS IEC 60747-7-5:2005 半導(dǎo)體器件 — 分立器件 第7-5部分:用于電源開關(guān)應(yīng)用的雙極晶體管

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

  • QC 750114-1996 電子元件質(zhì)量評(píng)估協(xié)調(diào)系統(tǒng) 半導(dǎo)體器件 分立器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 用于開關(guān)應(yīng)用的外殼額定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范(IEC 747-8-3:1995)
  • QC 750114-1995 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 第 3 節(jié):用于開關(guān)應(yīng)用的外殼額定場(chǎng)效應(yīng)晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范(IEC 747-8-3 ED 1)
  • QC 750106-1993 半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管第二部分 外殼額定功率放大器應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范(IEC 747-8-2 ED 1)
  • QC 750104-1991 半導(dǎo)體器件分立器件第7部分:雙極晶體管第三部分 用于開關(guān)應(yīng)用的雙極晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范(IEC 747-7-3 ED 1)

韓國(guó)科技標(biāo)準(zhǔn)局,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

  • KS C IEC 60747-7-3-2021 半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分:雙極晶體管 第三節(jié):開關(guān)應(yīng)用用雙極晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范

CZ-CSN,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

  • CSN 36 4186-1968 收音機(jī)電池.晶體管收音機(jī)和類似應(yīng)用

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

  • EN 150004:1991 空白詳細(xì)規(guī)范:用于開關(guān)應(yīng)用的雙極晶體管

TH-TISI,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

  • TIS 1867-1999 半導(dǎo)體器件-分立器件第7部分:雙極晶體管第 4 節(jié):用于開關(guān)應(yīng)用的雙極晶體管的空白詳細(xì)規(guī)范

國(guó)家質(zhì)檢總局,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

  • GB/T 15449-1995 管殼額定開關(guān)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管 空白詳細(xì)規(guī)范

PL-PKN,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

  • PN T01505-16-1987 場(chǎng)效應(yīng)晶體管.測(cè)量方法,公用源CnM中的短路輸入電容

YU-JUS,關(guān)于晶體 應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)

  • JUS N.R9.006-1977 頻率控制和選擇用壓電裝置.石英晶體元件.技術(shù)規(guī)范和應(yīng)用指南

晶體 應(yīng)用,晶體 晶體,晶體 晶體 衍射,晶體晶體 晶粒,晶粒 晶體,紅外 晶體,bf晶體晶體藥物,石英 晶體,極性 晶體熔融 晶體晶體 密度,晶體峰,鉍晶體,晶體 焓,+++++ 光 晶體,晶體 數(shù)據(jù),晶體 界面,晶體 取向。

 

可能用到的儀器設(shè)備

 

DDJ-100KV冠測(cè)電壓擊穿試驗(yàn) 適用于漏電流測(cè)試

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電壓擊穿試驗(yàn)DDJ-50KV冠測(cè) 適用于漏電流測(cè)試

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冠測(cè)電壓擊穿試驗(yàn)DDJ-50KV 適用于漏電流測(cè)試

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大電流脈沖電流發(fā)生器CPG-100B-1000P

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