GB/T 42271-2022
半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測(cè)試方法
Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
GBT42271-2022, GB42271-2022
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 42271-2022
- 別名
- GBT42271-2022, GB42271-2022
- 發(fā)布
- 2022年
- 總頁數(shù)
- 12頁
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 42271-2022
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 14264 GB/T 30656
- 適用范圍
- 本文件描述了半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測(cè)試方法。 本文件適用于測(cè)量電阻率范圍為1×105 Ω·cm~1×1012 Ω·cm 的半絕緣碳化硅單晶片。
GB/T 42271-2022 中，所使用到的儀器：
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GB/T 42271-2022 中提到的儀器設(shè)備
| 數(shù)字示波器 | 用于實(shí)時(shí)顯示和記錄測(cè)試過程中的電量變化數(shù)據(jù)。 |
| 步進(jìn)電機(jī) | 用于控制探頭移動(dòng)到待測(cè)位置的驅(qū)動(dòng)設(shè)備。 |
| 電容式探頭裝置 | 用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電量變化的裝置，包含電荷放大器電極、金屬環(huán)等部分。 |