術(shù)語(yǔ) | 描述 |
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微管 Micropipe | 在碳化硅單晶中產(chǎn)生的一種中空的細(xì)管,其徑向尺寸從納米到微米量級(jí),腐蝕后在顯微鏡下觀察呈六邊形,其對(duì)碳化硅器件具有嚴(yán)重的制約作用。 |
微管密度 Micropipe Density | 單位面積內(nèi)微管的數(shù)量,是碳化硅單晶拋光片的重要質(zhì)量指標(biāo)之一。 |
參考面 Reference Face | 用于確定碳化硅單晶拋光片表面取向和晶格位置的特定面。 |
主參考面 Main Reference Face | 碳化硅單晶拋光片中用于確定主要取向的參考面,通常平行于[1120]或[1100]晶面。 |
副參考面 Sub Reference Face | 用于輔助確定表面取向的參考面,與主參考面有特定的角度關(guān)系。 |
外徑千分尺 分度值為0.02 mm | 用于測(cè)量碳化硅單晶片直徑的測(cè)量工具。 |
非接觸式電阻率測(cè)試儀 | 用于測(cè)量碳化硅單晶材料電阻率的設(shè)備,基于電容充放電原理。 |
近日,中國(guó)科學(xué)院物理研究所北京凝聚態(tài)物理國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(籌)先進(jìn)材料與結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)人員與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(SiC)單晶襯底?! ?據(jù)悉,碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底?! ?上圖 科研人員在...
碳化硅(SiC)單晶是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、飽和漂移速度高等諸多特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外,由于SiC和氮化鎵(GaN)的晶格失配小,SiC單晶是GaN基LED、肖特基二極管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想襯底...
據(jù)浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心發(fā)布,近日浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在浙江省“尖兵計(jì)劃”等研發(fā)項(xiàng)目的資助下,成功生長(zhǎng)出厚度達(dá)到 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。該重要進(jìn)展意味著,碳化硅襯底成本有望大幅降低,半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或?qū)⒂瓉?lái)...
記者今天從中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所獲悉,該所科技人員立足自主研發(fā),在掌握直徑2英寸、3英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)之后,2月4日,成功生長(zhǎng)出直徑4英寸4H晶型碳化硅單晶,這標(biāo)志著我國(guó)碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)達(dá)到了國(guó)際一流水平。 據(jù)介紹,碳化硅單晶是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大,飽和...
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