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NF X21-066*NF ISO 23812:2009
表面化學(xué)分析次級(jí)離子質(zhì)譜分析法用多δ層參考物質(zhì)對(duì)硅進(jìn)行深度校準(zhǔn)的方法

Surface chemical analysis - Secondary ion mass spectrometry - Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials

標(biāo)準(zhǔn)號(hào): NF X21-066*NF ISO 23812:2009
發(fā)布: 2009年
發(fā)布單位: 法國標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)
當(dāng)前最新: NF X21-066*NF ISO 23812:2009

專題

質(zhì)譜針對(duì)什么樣的物質(zhì)進(jìn)行

NF X21-066*NF ISO 23812:2009相似標(biāo)準(zhǔn)

BS ISO 23812:2009 表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜分析法.用多δ層基準(zhǔn)物質(zhì)對(duì)硅進(jìn)行深度校準(zhǔn)的方法 ISO 23812:2009 表面化學(xué)分析次級(jí)離子質(zhì)譜測定法使用多δ層參考材料的硅深度校準(zhǔn)方法 JIS K 0156:2018 表面化學(xué)分析-二次離子質(zhì)譜法-使用多δ層參考材料的硅深度校準(zhǔn)方法 GB/T 39261-2020 納米技術(shù) 納米材料毒理學(xué)評(píng)價(jià)前理化性質(zhì)表征指南 OS GSO ISO 23812:2013 表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜多δ層參比材料的硅深度校準(zhǔn)方法

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