BS ISO 23812:2009
表面化學(xué)分析.次級(jí)離子質(zhì)譜分析法.用多δ層基準(zhǔn)物質(zhì)對(duì)硅進(jìn)行深度校準(zhǔn)的方法
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- BS ISO 23812:2009
- 發(fā)布
- 2009年
- 總頁(yè)數(shù)
- 30頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)
- 當(dāng)前最新
- BS ISO 23812:2009
- 被代替標(biāo)準(zhǔn)
- 08/30138809 DC:2008
專(zhuān)題
BS ISO 23812:2009相似標(biāo)準(zhǔn)
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BH GSO ISO 23812:2016 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 多δ層參比材料的硅深度校準(zhǔn)方法
ISO 23812:2009 表面化學(xué)分析 次級(jí)離子質(zhì)譜測(cè)定法 使用多δ層參考材料的硅深度校準(zhǔn)方法
GB/T 39261-2020 納米技術(shù) 納米材料毒理學(xué)評(píng)價(jià)前理化性質(zhì)表征指南