ASTM F616M-96(2003)
測量MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)排漏電流的標(biāo)準(zhǔn)測試方法(米制單位)
Standard Test Method for Measuring MOSFET Drain Leakage Current (Metric)
2009-12
說明：
- 此圖僅顯示與當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)最近的5級引用；
- 鼠標(biāo)放置在圖上可以看到標(biāo)題編號；
- 此圖可以通過鼠標(biāo)滾輪放大或者縮小；
- 表示標(biāo)準(zhǔn)的節(jié)點，可以拖動；
- 綠色表示標(biāo)準(zhǔn)：ASTM F616M-96(2003) ， 綠色、紅色表示本平臺存在此標(biāo)準(zhǔn)，您可以下載或者購買，灰色表示平臺不存在此標(biāo)準(zhǔn)；
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- 標(biāo)準(zhǔn)號
- ASTM F616M-96(2003)
- 發(fā)布
- 1996年
- 總頁數(shù)
- 3頁
- 發(fā)布單位
- 美國材料與試驗協(xié)會
- 當(dāng)前最新
- ASTM F616M-96(2003)
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E178
1.1 本測試方法涵蓋MOSFET（注1）漏極漏電流的測量。注18212；MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體的縮寫； FET 是場效應(yīng)晶體管的縮寫。1.2 本測試方法適用于所有增強型和耗盡型 MOSFET。該測試方法規(guī)定了正電壓和電流，特別適用于 n 溝道 MOSFET。負(fù)電壓和負(fù)電流的替代使得該方法直接適用于p溝道MOSFET。 1.3 本直流測試方法適用于漏極電壓...
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