ASTM F616M-96(2003)
測量MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)排漏電流的標準測試方法(米制單位)
Standard Test Method for Measuring MOSFET Drain Leakage Current (Metric)
2009-12
- 標準號
- ASTM F616M-96(2003)
- 發(fā)布
- 1996年
- 總頁數(shù)
- 3頁
- 發(fā)布單位
- 美國材料與試驗協(xié)會
- 當前最新
- ASTM F616M-96(2003)
- 引用標準
- ASTM E178
- 適用范圍
- 1.1 本測試方法涵蓋MOSFET（注1）漏極漏電流的測量。注18212；MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體的縮寫； FET 是場效應(yīng)晶體管的縮寫。
1.2 本測試方法適用于所有增強型和耗盡型 MOSFET。該測試方法規(guī)定了正電壓和電流，特別適用于 n 溝道 MOSFET。負電壓和負電流的替代使得該方法直接適用于p溝道MOSFET。
1.3 本直流測試方法適用于漏極電壓大于0 V但小于漏極擊穿電壓的范圍。
1.4 本標準并不旨在解決與其使用相關(guān)的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責(zé)任在使用前建立適當?shù)陌踩徒】祵嵺`并確定監(jiān)管限制的適用性。
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