ASTM F847-02
單晶硅片上平面晶體學取向的X射線測量方法
X-ray measurement of crystallographic orientation on single-crystal silicon wafers
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- 標準號
- ASTM F847-02
中文首頁 - 發(fā)布
- 2002年
- 總頁數(shù)
- 8頁
- 發(fā)布單位
- 美國材料與試驗協(xié)會
- 當前最新
- ASTM F847-02
- 引用標準
- ASTM E122 ASTM E82 ASTM F26
1.1 這些測試方法涵蓋了 a 的測定，即垂直于圓形硅片上基準平面的方向的晶體取向與晶片表面平面中平面的指定取向之間的角度偏差。 1.2 這些測試方法適用于平面長度值在 SEMI 規(guī)范 M 1 中為硅晶圓規(guī)定的范圍內(nèi)的晶圓。它們僅適用于角度偏差小于 65° 的晶圓。 1.3 這些測試方法所達到的定向精度直接取決于平坦表面與參考圍欄對準的精度以及參考圍欄相對于...
| 術語 | |
|---|---|
| orientation | Orientation |
ASTM F847-02 中提到的儀器設備
| X射線發(fā)生器 適用于高精度測試的X射線源 | 用于生成X射線束，進行晶體學測量。 |
| Wafer Holding Fixtures Special fixtures for X-ray goniometer alignment | 用于固定和對準晶圓的夾具，確保測試精確性。 |