ASTM F847-02
單晶硅片上平面晶體學(xué)取向的X射線測量方法
X-ray measurement of crystallographic orientation on single-crystal silicon wafers
ASTM F847-02 發(fā)布?xì)v史
ASTM F847-02由美國材料與試驗協(xié)會 US-ASTM 發(fā)布于 2002，并于 0000-00-00 實施。
ASTM F847-02 單晶硅片上平面晶體學(xué)取向的X射線測量方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 ASTM F847-02 。
ASTM F847-02 發(fā)布之時，引用了標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E122 計算樣本量以估計的標(biāo)準(zhǔn)實踐 具有指定的容差 批次或過程特征的平均值
- ASTM E82 測定金屬晶體取向的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法
- ASTM F26 用于確定半導(dǎo)體單晶體取向的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法
ASTM F847-02的歷代版本如下：
- 2002年 ASTM F847-02 單晶硅片上平面晶體學(xué)取向的X射線測量方法
- 1994年 ASTM F847-94(1999) 單晶硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法
1.1 這些測試方法涵蓋了 a 的測定，即垂直于圓形硅片上基準(zhǔn)平面的方向的晶體取向與晶片表面平面中平面的指定取向之間的角度偏差。
1.2 這些測試方法適用于平面長度值在 SEMI 規(guī)范 M 1 中為硅晶圓規(guī)定的范圍內(nèi)的晶圓。它們僅適用于角度偏差小于 65° 的晶圓。
1.3 這些測試方法所達(dá)到的定向精度直接取決于平坦表面與參考圍欄對準(zhǔn)的精度以及參考圍欄相對于X射線束的定向精度。
1.4 包括以下兩種測試方法： 截面 測試方法 A——X 射線邊緣衍射法 8 至 13 測試方法 B——Laue 背反射 X 射線法 14 至 18 1.4.1 測試方法 A 是非破壞性的，與測試方法類似測試方法 F 26 的方法 A，不同之處在于它使用特殊的晶圓固定裝置來相對于 X 射線測角儀唯一地定向晶圓。該技術(shù)能夠比勞厄背反射法更精確地測量平面的晶體方向。
1.4.2 測試方法 B 也是非破壞性的，類似于測試方法 E 82 和 DIN 50 433，第 3 部分，不同之處在于它使用“即時”膠片和特殊夾具來相對于 X 射線定向平板光束。雖然它更簡單、更快速，但它不具備測試方法 A 的精度，因為它使用的精度較低且較便宜的夾具和設(shè)備。它會生成測試的永久膠片記錄。注 1——勞厄照片可被解釋為提供有關(guān)晶片取向錯誤的晶體學(xué)方向的信息；然而，這超出了本測試方法的范圍。希望進(jìn)行此類解釋的用戶應(yīng)參考測試方法 E 82 和 DIN 50 433 第 3 部分或標(biāo)準(zhǔn) X 射線教科書。 2、3 對于不同的晶圓固定夾具，測試方法B也適用于晶圓表面取向的確定。
1.5 以英寸-磅為單位的數(shù)值應(yīng)視為標(biāo)準(zhǔn)值。括號中給出的值僅供參考。
1.6 本標(biāo)準(zhǔn)并不旨在解決與其使用相關(guān)的所有安全問題（如果有）。本標(biāo)準(zhǔn)的使用者有責(zé)任在使用前建立適當(dāng)?shù)陌踩徒】祵嵺`并確定監(jiān)管限制的適用性。有關(guān)具體危險說明，請參閱第 6 節(jié)。
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- 標(biāo)準(zhǔn)號
- ASTM F847-02
中文首頁 - 發(fā)布
- 2002年
- 總頁數(shù)
- 8頁
- 發(fā)布單位
- 美國材料與試驗協(xié)會
- 當(dāng)前最新
- ASTM F847-02
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E122 ASTM E82 ASTM F26