ASTM F847-02
單晶硅片上平面晶體學(xué)取向的X射線測(cè)量方法
X-ray measurement of crystallographic orientation on single-crystal silicon wafers
1. 適用范圍
本規(guī)程適用于直徑≤200mm的單晶硅片基準(zhǔn)面晶向測(cè)量，測(cè)量范圍：0-65°，符合SEMI M1標(biāo)準(zhǔn)要求。
2. 安全警示
?? X射線輻射警告：
- 操作人員必須佩戴劑量計(jì)
- 季度累積輻射劑量不得超過1.25R（全身）或18.75R（手部）
- 使用前需用 Geiger-Muller計(jì)數(shù)器 檢測(cè)輻射泄漏
3. 方法A-X射線邊緣衍射法
3.1 設(shè)備配置
| 設(shè)備 | 技術(shù)要求 |
|---|---|
| X射線測(cè)角儀 | 垂直狹縫準(zhǔn)直，角度分辨率≤1′ |
| 晶圓夾具 | 參考面平面度≤10μm/100mm，含真空吸附裝置 |
3.2 操作步驟
- 按表1設(shè)置探測(cè)器角度（CuKα輻射）
- 將硅片正面朝上置于夾具，基準(zhǔn)面緊貼參考擋板
- 旋轉(zhuǎn)測(cè)角儀尋找衍射強(qiáng)度峰值，記錄角度θ?
- 翻轉(zhuǎn)硅片重復(fù)測(cè)量，記錄角度θ?
- 計(jì)算晶向偏差：α=(θ?-θ?)/2
| 晶面 | 2θ角 |
|---|---|
| {110} | 47°20′ |
| {211} | 88°08′ |
4. 方法B-Laue背反射法
4.1 設(shè)備配置
- Laue相機(jī) ：含鎢靶X射線管（50-60kV）
- 快速膠片系統(tǒng)：ASA300及以上
- 定位夾具：垂直參考面精度≤1′
4.2 操作步驟
- 硅片基準(zhǔn)面貼合夾具參考面，啟動(dòng)真空吸附
- 設(shè)置X射線管參數(shù)（50kV/20mA）
- 曝光1-2分鐘，同步生成光學(xué)參考點(diǎn)
- 使用分度頭測(cè)量勞厄斑點(diǎn)區(qū)與參考線夾角α
5. 數(shù)據(jù)報(bào)告
必須包含以下信息：
- 樣品編號(hào)及批次信息
- 測(cè)試日期與操作人員
- 方法A：θ?/θ?/α三組數(shù)據(jù)
- 方法B：勞厄照片及角度測(cè)量結(jié)果
6. 精度控制
| 方法 | 重復(fù)性(1σ) |
|---|---|
| 邊緣衍射法 | 1.94′ |
| Laue背反射法 | 7′ |
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- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- ASTM F847-02
中文首頁(yè) - 發(fā)布
- 2002年
- 總頁(yè)數(shù)
- 8頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)
- 當(dāng)前最新
- ASTM F847-02
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E122 ASTM E82 ASTM F26
1.1 這些測(cè)試方法涵蓋了 a 的測(cè)定，即垂直于圓形硅片上基準(zhǔn)平面的方向的晶體取向與晶片表面平面中平面的指定取向之間的角度偏差。 1.2 這些測(cè)試方法適用于平面長(zhǎng)度值在 SEMI 規(guī)范 M 1 中為硅晶圓規(guī)定的范圍內(nèi)的晶圓。它們僅適用于角度偏差小于 65° 的晶圓。 1.3 這些測(cè)試方法所達(dá)到的定向精度直接取決于平坦表面與參考圍欄對(duì)準(zhǔn)的精度以及參考圍欄相對(duì)于...